據(jù)臺(tái)積電官方介紹，臺(tái)積電2nm（N2）技術(shù)已按計(jì)劃于2025年第四季度投入量產(chǎn)，其N(xiāo)2技術(shù)采用了第一代納米片晶體管（nanosheettransistor）技術(shù)。

與已經(jīng)非常優(yōu)秀的N3E工藝相比，N2技術(shù)在性能與功耗方面實(shí)現(xiàn)了全節(jié)點(diǎn)的顯著提升。

在同樣功耗下，性能（速度）提升10%–15%。

在同樣速度下，功耗降低25%–30%。

此外，N2還在供電網(wǎng)絡(luò)中增加了超高性能金屬-絕緣體-金屬(Super-High-Performance Metal-Insulator-Metal,SHPMIM)電容器。

這意味著我們手中的智能手機(jī)、驅(qū)動(dòng)AI世界的龐大算力、以及未來(lái)一切智能設(shè)備，都即將迎來(lái)一場(chǎng)性能革命。