全球半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場深刻的結(jié)構(gòu)性調(diào)整。2025年至2026年間，臺積電和三星兩大晶圓制造巨頭相繼宣布了明確的8英寸晶圓減產(chǎn)計劃。

根據(jù)韓國媒體The Elec的報道，三星電子計劃在2026年下半年關(guān)閉其位于器興的8英寸晶圓廠S7，以便專注于利潤更高的12英寸晶圓廠。作為三星主要的8英寸晶圓生產(chǎn)基地之一，S7廠的關(guān)閉將導(dǎo)致三星的8英寸晶圓月產(chǎn)能從25萬片大幅縮減至20萬片以下。目前，三星8英寸晶圓廠開工率約為70%。

與此同時，作為全球晶圓代工龍頭臺積電也同步開始逐步減少8英寸產(chǎn)能，目標在2027年實現(xiàn)部分廠區(qū)全面停產(chǎn)。

隨著臺積電和三星減產(chǎn)計劃的逐步實施，TrendForce 預(yù)測2026年全球8英寸晶圓產(chǎn)能預(yù)計將進一步減少2.4%。

背后的產(chǎn)業(yè)邏輯的是，CMOS 圖像傳感器、顯示驅(qū)動芯片等主流產(chǎn)品正加速向 12 英寸平臺遷移，臺積電與三星順勢將資源集中投向利潤更為豐厚的成熟制程，8 英寸晶圓代工行業(yè)正式邁入發(fā)展拐點。

需求端持續(xù)爆發(fā)

在供給端收縮的同時，8英寸晶圓的需求側(cè)卻出現(xiàn)了持續(xù)增長。

據(jù)TrendForce發(fā)布報告顯示，在臺積電、三星兩大晶圓廠逐步收縮8英寸產(chǎn)能的背景下，疊加AI相關(guān)電源管理芯片需求穩(wěn)步增長，以及消費電子企業(yè)因擔(dān)憂后續(xù)成本上漲、產(chǎn)能受限而提前備貨，全球8英寸晶圓市場正偏離此前的供需平衡狀態(tài)，逐步呈現(xiàn)產(chǎn)能趨緊、價格上行的態(tài)勢。

隨著AI服務(wù)器和邊緣計算設(shè)備的快速增長，對電源管理芯片（PMIC）等關(guān)鍵元件的需求持續(xù)攀升。這類芯片大多采用8英寸晶圓生產(chǎn)，特別是BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝的高性能功率半導(dǎo)體成為需求端的核心驅(qū)動力。

消費電子領(lǐng)域的提前備貨行為，進一步加劇了供需矛盾。PC及消費電子供應(yīng)鏈為預(yù)防產(chǎn)能擠占，提前啟動對電源管理芯片甚至非電源類芯片的備貨。

在供給減少與需求增加的共同作用下，直接拉動了全球8英寸晶圓代工產(chǎn)能利用率的顯著回升。TrendForce預(yù)估，全球8英寸晶圓廠的平均產(chǎn)能利用率將從2025年的75%-80%，提升至2026年的85%-90%；2026年8英寸晶圓代工價格將上調(diào)5%-20%不等。

中國廠商接棒

此時，中國晶圓代工廠在這場8英寸產(chǎn)能調(diào)整中成為受益者。TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，中國大陸8英寸產(chǎn)能已占全球總量的20%以上，成為全球8英寸晶圓制造的重要一極。

中芯國際、華虹集團、華潤微電子等本土頭部企業(yè)，將承接從臺積電和三星轉(zhuǎn)移而來的訂單。

根據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)，中芯國際在2025年第四季度的8英寸晶圓產(chǎn)能利用率高達96%，產(chǎn)線長期處于供不應(yīng)求狀態(tài)。其車規(guī)級產(chǎn)品與BCD工藝直接對接比亞迪等核心客戶。

華虹集團的表現(xiàn)更為搶眼，2025年三季度總體產(chǎn)能利用率突破109.5%。無錫基地為全球最大的8英寸功率半導(dǎo)體產(chǎn)線，月產(chǎn)能達17.5萬片，客戶涵蓋英飛凌、安森美等國際巨頭。

華潤微電子作為本土IDM龍頭，8英寸產(chǎn)線總月產(chǎn)能達21萬片，核心服務(wù)美的、格力等家電企業(yè)及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。

除頭部企業(yè)外，積塔半導(dǎo)體、粵芯半導(dǎo)體、士蘭微電子等特色工藝廠商構(gòu)成國內(nèi)8英寸產(chǎn)能的重要補充。

積塔半導(dǎo)體擁有國內(nèi)唯一通過AEC-Q100Grade0認證的8英寸產(chǎn)線，專門供應(yīng)比亞迪、寧德時代所需的車規(guī)芯片；粵芯半導(dǎo)體聚焦模擬芯片與AIoT邊緣計算芯片，承接小米、OPPO等企業(yè)訂單；士蘭微電子在MEMS麥克風(fēng)、IPM模塊領(lǐng)域具備核心競爭力。

此外，燕東微電子、中科院微電子所聯(lián)合產(chǎn)線等區(qū)域型與科研級產(chǎn)線，月產(chǎn)能雖均不超過5萬片，但在硅光子芯片、第三代半導(dǎo)體等前沿領(lǐng)域形成技術(shù)儲備。

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